1N6622

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Spécifications

Modèle de produit

1N6622
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N6622.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.4V @ 1.2A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

A-PAK
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

45ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

A, Axial
Autres noms

Q1879386
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 1.2A Through Hole A-PAK
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1.2A
Capacité à Vr, F

-
Numéro de pièce de base

1N6622

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "1N6622".

1N6625US

La description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Fabricant: Microsemi

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