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DN3765K4-G

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Spécifications

Modèle de produit

DN3765K4-G
Fabricant / marque

Micrel / Microchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DN3765K4-G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 150mA, 0V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

DN3765K4-G-ND
DN3765K4-GTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

825pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

0V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

300mA (Tj)

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Ce qui suit est des produits liés à "DN3765K4-G".

SIR872DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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