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DN3135K1-G

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Spécifications

Modèle de produit

DN3135K1-G
Fabricant / marque

Micrel / Microchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DN3135K1-G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 Ohm @ 150mA, 0V
Dissipation de puissance (max)

360mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

DN3135K1-GCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

0V
Tension drain-source (Vdss)

350V
Description détaillée

N-Channel 350V 72mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

72mA (Tj)

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Ce qui suit est des produits liés à "DN3135K1-G".

PMF400UN,115

La description: MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale

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