DN3535N8-G

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Spécifications

Modèle de produit

DN3535N8-G
Fabricant / marque

Micrel / Microchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DN3535N8-G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-243AA (SOT-89)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 150mA, 0V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-243AA
Autres noms

DN3535N8-GCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

0V
Tension drain-source (Vdss)

350V
Description détaillée

N-Channel 350V 230mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

230mA (Tj)

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DN3135N8-G

La description: MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3

Fabricant: Micrel / Microchip Technology

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