CSD18512Q5BT

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Spécifications

Modèle de produit

CSD18512Q5BT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-VSON-CLIP (5x6)
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

139W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7120pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 211A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

211A (Tc)

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