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Spécifications

Modèle de produit

CSD18511KTTT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

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La description

40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DDPAK/TO-263-3
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

188W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

296-47449-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

2 (1 Year)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5940pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 110A (Ta), 194A (Tc) 188W (Ta) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

110A (Ta), 194A (Tc)

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