CSD18510KTTT

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Spécifications

Modèle de produit

CSD18510KTTT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

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La description

40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DDPAK/TO-263-3
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

250W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Autres noms

296-45229-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

2 (1 Year)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11400pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 274A (Tc) 250W (Ta) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

274A (Tc)

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CSD18512Q5BT

La description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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