EPC2108ENGRT

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Spécifications

Modèle de produit

EPC2108ENGRT
Fabricant / marque

EPC
Quantité en stock

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La description

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

EPC2108ENGRT.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Package composant fournisseur

9-BGA (1.35x1.35)
Séries

eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Puissance - Max

-
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

9-VFBGA
Autres noms

917-EPC2108ENGRDKR
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
type de FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Fonction FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)

60V, 100V
Description détaillée

Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.7A, 500mA

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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EPC2815

La description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricant: EPC

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