EPC2110

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Spécifications

Modèle de produit

EPC2110
Fabricant / marque

EPC
Quantité en stock

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La description

MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

EPC2110.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 700µA
Package composant fournisseur

Die
Séries

eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 5V
Puissance - Max

-
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

Die
Autres noms

917-1152-1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V
type de FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)

120V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.4A

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EPC2818

La description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Fabricant: EPC

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