EPC2104ENG

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Spécifications

Modèle de produit

EPC2104ENG
Fabricant / marque

EPC
Quantité en stock

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La description

TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

EPC2104ENG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA
Package composant fournisseur

Die
Séries

eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max

-
Emballage

Tray
Package / Boîte

Die
Autres noms

917-EPC2104ENG
EPC2104ENGRH4
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V
type de FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

23A

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EPC2101

La description: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricant: EPC

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