FDMS86201

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS86201
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS86201.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS86201DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

34 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2735pF @ 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

120V
Description détaillée

N-Channel 120V 11.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11.6A (Ta), 35A (Tc)

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livraison
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FDMS8622

La description: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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