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FDMS86183

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FDMS86183
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
    FDMS86183.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 90µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-PQFN (5x6), Power56
  • Séries
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.8 mOhm @ 16A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    63W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    FDMS86183CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    34 Weeks
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1515pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 6V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 51A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    51A (Tc)

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ERJ-PA3D3093V

ERJ-PA3D3093V

La description: RES SMD 309K OHM 0.5% 1/4W 0603

Fabricant: Panasonic
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