FDMS86182

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS86182
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

FDMS86182.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6), Power56
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 28A, 10V
Dissipation de puissance (max)

83W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS86182TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

34 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2635pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 6V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 78A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

78A (Tc)

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