US1J R3G

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Spécifications

Modèle de produit

US1J R3G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

US1J R3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-214AC (SMA)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

75ns
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

DO-214AC, SMA
Autres noms

US1J R3GCT
US1J R3GCT-ND
US1JR3GCT
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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US1J-E3/61T

La description:

Fabricant: Vishay

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