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6003486US1J-13 imageDiodes Incorporated

US1J-13

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Spécifications
  • Modèle de produit
    US1J-13
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    75ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AC, SMA
  • Autres noms
    US1JDITR
    US1JTR
    US1JTR-ND
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Numéro de pièce de base
    US1J
C316C111KAG5TA

C316C111KAG5TA

La description: CAP CER 110PF 250V C0G/NP0 RAD

Fabricant: KEMET
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