TSM6N50CP ROG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM6N50CP ROG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM6N50CP ROG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

90W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

TSM6N50CP ROGCT
TSM6N50CP ROGCT-ND
TSM6N50CPROGCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 5.6A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.6A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM6N50CP ROG".

TSM6N50CH C5G

La description: MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM6N50CP ROG

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