TSM680P06CP ROG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM680P06CP ROG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM680P06CP ROG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

68 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

20W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

TSM680P06CP ROGTR
TSM680P06CP ROGTR-ND
TSM680P06CPROGTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant

30 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16.4nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

P-Channel 60V 18A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Tc)

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livraison
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TSM60NB600CP ROG

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO252

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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