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3581077HS3JB R5G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

HS3JB R5G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    HS3JB R5G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    HS3JB R5G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AA (SMB)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    75ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AA, SMB
  • Autres noms
    HS3JB R5GTR
    HS3JB R5GTR-ND
    HS3JBR5GTR
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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SIT1602BC-23-30N-31.250000E

SIT1602BC-23-30N-31.250000E

La description: -20 TO 70C, 3225, 50PPM, 3.0V, 3

Fabricant: SiTime
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