HS3J R7G

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Spécifications

Modèle de produit

HS3J R7G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

HS3J R7G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-214AB (SMC)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

75ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AB, SMC
Autres noms

HS3J R7G-ND
HS3JR7G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "HS3J R7G".

HS3G R7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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