STU75N3LLH6-S

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Spécifications

Modèle de produit

STU75N3LLH6-S
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STU75N3LLH6-S.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

60W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 75A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

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STU6N65M2

La description: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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