STU6NF10

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Spécifications

Modèle de produit

STU6NF10
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STU6NF10.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

30W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

497-12700-5
STU6NF10-ND
Température de fonctionnement

-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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STU7N60M2

La description: MOSFET N-CH 600V IPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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