STTH812G-TR

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Spécifications

Modèle de produit

STTH812G-TR
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STTH812G-TR.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

2.2V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max)

1200V
Package composant fournisseur

D2PAK
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

100ns
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

497-5264-1
Température d'utilisation - Jonction

175°C (Max)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1200V 8A Surface Mount D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr

8µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

8A
Capacité à Vr, F

-
Numéro de pièce de base

STTH812

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STTH8L06FP

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