STTH810G

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Spécifications

Modèle de produit

STTH810G
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STTH810G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

8A
Tension - Ventilation

D2PAK
Séries

-
État RoHS

Tube
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température d'utilisation - Jonction

85ns
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Référence fabricant

STTH810G
Description élargie

Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK
Configuration diode

5µA @ 1000V
La description

DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr

2V @ 8A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1000V (1kV)
Capacité à Vr, F

175°C (Max)

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Ce qui suit est des produits liés à "STTH810G".

STTH806DTI

La description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Fabricant: STMicroelectronics

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