STS6P3LLH6

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Spécifications

Modèle de produit

STS6P3LLH6
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STS6P3LLH6.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.7W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

497-15323-2
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 24V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 6A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Ta)

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livraison
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