STS5DP3LLH6

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Spécifications

Modèle de produit

STS5DP3LLH6
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

DeepGATE™, STripFET™ H6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

56 mOhm @ 2.5A, 10V
Puissance - Max

2.7W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

639pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
type de FET

2 P-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Ta) 2.7W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5A (Ta)

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