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STP2NK100Z

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STP2NK100Z
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STP2NK100Z.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220AB
  • Séries
    SuperMESH™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 Ohm @ 900mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    70W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    497-7518-5
    STP2NK100Z-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    38 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    499pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1000V
  • Description détaillée
    N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.85A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STP2NK100Z".
BZD27C8V2PHRTG

BZD27C8V2PHRTG

La description: DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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