STP28N65M2

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Spécifications

Modèle de produit

STP28N65M2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STP28N65M2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

170W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-15559-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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STP2NK90Z

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