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STN1NK60ZL

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Spécifications

Modèle de produit

STN1NK60ZL
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

STN1NK60ZL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 Ohm @ 400mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.3W (Tc)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

94pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 300mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

300mA (Tc)

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STN1HNK60

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