STN1NF10

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Spécifications

Modèle de produit

STN1NF10
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STN1NF10.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

497-14747-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 1A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1A (Tc)

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