STL33N60DM2

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Spécifications

Modèle de produit

STL33N60DM2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.STL33N60DM2.pdf
2.STL33N60DM2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PowerFlat™ (8x8) HV
Séries

MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

497-16941-6
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 21A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

21A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "STL33N60DM2".

STL285N4F7AG

La description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Fabricant: STMicroelectronics

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