STL26NM60N

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Spécifications

Modèle de produit

STL26NM60N
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STL26NM60N.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PowerFlat™ (8x8) HV
Séries

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125mW (Ta), 3W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

497-11207-1
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.7A (Ta), 19A (Tc)

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STL33N60M2

La description: MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88

Fabricant: STMicroelectronics

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