STGWA40H120DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGWA40H120DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGWA40H120DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A
Condition de test

600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

18ns/152ns
énergie de commutation

1mJ (on), 1.32mJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

488ns
Puissance - Max

468W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-16005-5
STGWA40H120DF2-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

158nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

160A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

80A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "STGWA40H120DF2".

STGWA40H120F2

La description: IGBT BIPO 1200V 40A TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

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