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STGWA30H60DFB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STGWA30H60DFB
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
    STGWA30H60DFB.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Condition de test
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    37ns/146ns
  • énergie de commutation
    383µJ (on), 293µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247 Long Leads
  • Séries
    HB
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    53ns
  • Puissance - Max
    260W
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    149nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-247 Long Leads
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    120A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    60A

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Ce qui suit est des produits liés à "STGWA30H60DFB".
BZX55C8V2-TAP

BZX55C8V2-TAP

La description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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