STGP6M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGP6M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGP6M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A
Condition de test

400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

12ns/86ns
énergie de commutation

40µJ (on), 136µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

M
Temps de recouvrement inverse (trr)

140ns
Puissance - Max

88W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-16967
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

21.2nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

24A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

12A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "STGP6M65DF2".

STGP7NC60H

La description: IGBT 600V 25A 80W TO220

Fabricant: STMicroelectronics

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