STGP4M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGP4M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.STGP4M65DF2.pdf
2.STGP4M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A
Condition de test

400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

12ns/86ns
énergie de commutation

40µJ (on), 136µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

M
Temps de recouvrement inverse (trr)

133ns
Puissance - Max

68W
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-17548
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

Not Applicable
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

15.2nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Through Hole TO-220AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

16A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

8A

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "STGP4M65DF2".

STGP6NC60H

La description: IGBT 600V 15A 56W TO220

Fabricant: STMicroelectronics

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