STGD7NB120S-1

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Spécifications

Modèle de produit

STGD7NB120S-1
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 10A 55W IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGD7NB120S-1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A
Condition de test

960V, 7A, 1 kOhm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

570ns/-
énergie de commutation

15mJ (off)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

PowerMESH™
Puissance - Max

55W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

29nC
Description détaillée

IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

20A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

10A
Numéro de pièce de base

STG*7NB

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Ce qui suit est des produits liés à "STGD7NB120S-1".

STGE200N60K

La description: IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP

Fabricant: STMicroelectronics

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