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STGD4M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGD4M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGD4M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A
Condition de test

400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

12ns/86ns
énergie de commutation

40µJ (on), 136µJ (off)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

M
Temps de recouvrement inverse (trr)

133ns
Puissance - Max

68W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-16963-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

15.2nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

16A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

8A

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Ce qui suit est des produits liés à "STGD4M65DF2".

STGD6NC60H-1

La description: IGBT N-CH 600V 7A IPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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