STFU9N65M2

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Spécifications

Modèle de produit

STFU9N65M2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

STFU9N65M2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FP
Séries

MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

20W (Tc)
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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STFU6N65

La description: N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4

Fabricant: STMicroelectronics

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