STFU23N80K5

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Spécifications

Modèle de produit

STFU23N80K5
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

STFU23N80K5.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FP
Séries

MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 16A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

16A (Tc)

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STFU10NK60Z

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Fabricant: STMicroelectronics

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