STD5N80K5

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Spécifications

Modèle de produit

STD5N80K5
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.STD5N80K5.pdf
2.STD5N80K5.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

60W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-16929-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

177pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Tc)

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STD5N60M2

La description: MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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