STD5N20T4

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Spécifications

Modèle de produit

STD5N20T4
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STD5N20T4.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

MESH OVERLAY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

45W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-6563-6
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STD5N20T4".

STD5406NT4G

La description: MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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