STB13N80K5

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Spécifications

Modèle de produit

STB13N80K5
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB13N80K5.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

190W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

497-13860-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 12A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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STB12NM60N-1

La description: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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