STB12NM60N-1

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Spécifications

Modèle de produit

STB12NM60N-1
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB12NM60N-1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK
Séries

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

410 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

90W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "STB12NM60N-1".

RLR07C2701GMB14

La description: RES 2.7K OHM 2% 1/4W AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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