STB120N4LF6

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Spécifications

Modèle de produit

STB120N4LF6
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB120N4LF6.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

497-11096-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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STB12NM50T4

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