UNR422200A

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Spécifications

Modèle de produit

UNR422200A
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

UNR422200A.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

NS-B1
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

4.7 kOhms
Résistance - Base (R1)

4.7 kOhms
Puissance - Max

300mW
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

NS-B1
Autres noms

UNR422200ATB
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

200MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

500mA

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UNR421D00A

La description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

Fabricant: Panasonic

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