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UNR421K00A

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UNR421K00A
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    UNR421K00A.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    NS-B1
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Box (TB)
  • Package / Boîte
    NS-B1
  • Autres noms
    UNR421K00ATB
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    150MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "UNR421K00A".
HMTSW-214-12-L-D-100-LA

HMTSW-214-12-L-D-100-LA

La description: MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN

Fabricant: Samtec, Inc.
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