PIMD3,115

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Spécifications

Modèle de produit

PIMD3,115
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

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La description

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

PIMD3,115.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

6-TSOP
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

600mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SC-74, SOT-457
Autres noms

1727-6491-1
568-8469-1
568-8469-1-ND
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 600mW Surface Mount 6-TSOP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

P*MD3

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PIMZ2,125

La description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6TSOP

Fabricant: Nexperia

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