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PIMD2,125

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PIMD2,125
  • Fabricant / marque
    Nexperia
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    PIMD2,125.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    6-TSOP
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    22 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    22 kOhms
  • Puissance - Max
    600mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-74, SOT-457
  • Autres noms
    934057905125
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 600mW Surface Mount 6-TSOP
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    1µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    MD2

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C327C121KAG5TA7301

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La description: CAP CER 120PF 250V C0G/NP0 RAD

Fabricant: KEMET
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