JANTXV2N6301

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV2N6301
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV2N6301.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 80mA, 8A
Transistor Type

PNP - Darlington
Package composant fournisseur

TO-66
Séries

Military, MIL-PRF-19500/539
Puissance - Max

75W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-213AA, TO-66-2
Autres noms

1086-15609
1086-15609-MIL
Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 8A 75W Through Hole TO-66
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

8A

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Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV2N6301".

JANTXV2N6350

La description: TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

Fabricant: Microsemi

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