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JANTXV2N6351

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JANTXV2N6351
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JANTXV2N6351.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    150V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    2.5V @ 10mA, 5A
  • Transistor Type
    NPN - Darlington
  • Package composant fournisseur
    TO-33
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/472
  • Puissance - Max
    1W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
  • Autres noms
    1086-16201
    1086-16201-MIL
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150V 5A 1W Through Hole TO-33
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    -
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    5A

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1SMB5913BT3G

1SMB5913BT3G

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
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